Microwave Technology
- MicroWave Technology，Inc。是RF& amp;的領(lǐng)先制造商。微波分立半導(dǎo)體產(chǎn)品，GaAs和GaN RF功率放大器，低噪聲pHEMT器件，MMIC，無線放大器，混合模塊和連接器化微波放大器。MicroWave Technology，Inc。（MwT）位于加利福尼亞州的硅谷，由技術(shù)負責(zé)人于1982年成立，在砷化鎵（GaAs）器件設(shè)計和制造方面擁有豐富經(jīng)驗。該工廠占地35,000平方英尺，主要資產(chǎn)包括GaAs半導(dǎo)體工廠和混合芯片及有線微波集成電路（HMIC）制造工廠。垂直制造和產(chǎn)品強度為MwT在微波元件市場提供了不凡的靈活性和機會。
MwT是美國領(lǐng)先的離散砷化鎵二極管和晶體管（FET，pHEMT和Gunn二極管）商業(yè)制造商。早期專注于器件可靠性的工作產(chǎn)生了專有的金屬化系統(tǒng)，這使得MwT的器件不受氫污染的影響，現(xiàn)在是高可靠性行業(yè)非常關(guān)注的一個項目。這些器件采用專有的外延材料和四分之一微米凹陷柵極工藝技術(shù)，可實現(xiàn)高線性度（1 W P-1 dB無線放大器中的+48 dBm IP3）和低相位噪聲（-125 dBc @ 100 KHz偏移，17.5 GHz DRO）設(shè)備，功率輸出范圍從10毫瓦到5瓦。這些器件以芯片或封裝形式出售，在無線基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)，工業(yè)射頻應(yīng)用以及各種國防和空間電子設(shè)備的信息傳輸或接收中，廣泛用于10 MHz至40 GHz信號的放大。
通過利用MwT GaAs FET的低互調(diào)失真特性，該公司因其針對多載波和/或數(shù)字調(diào)制的高內(nèi)部匹配模塊化表面貼裝發(fā)射和接收放大器模塊產(chǎn)品線而享有越來越高的聲譽（高線性度） ）無線基礎(chǔ)設(shè)施和軍事通信系統(tǒng)。主要應(yīng)用是接收器前端和蜂窩，PCS和WLL基站以及軍事高可靠性通信中的驅(qū)動器或微微蜂窩輸出放大器。值得注意的新產(chǎn)品具有極低的輸入和輸出回波損耗，可在高度關(guān)鍵的高線性度功率放大器級聯(lián)中輕松實現(xiàn)增益插入。 MwT為內(nèi)部和外部客戶提供高可靠性的薄膜電路處理能力。 MwT采用薄膜混合微電路結(jié)構(gòu)，生產(chǎn)和銷售各種標準模塊化放大器產(chǎn)品至26 GHz。這些模塊也是MwT的構(gòu)建元件，用于設(shè)計和制造標準以及用于國防和電信應(yīng)用的定制連接器放大器。
MwT擁有多年為客戶創(chuàng)建專業(yè)設(shè)計的經(jīng)驗，并擁有龐大的基于MwT設(shè)備的定制設(shè)計庫。 MwT使用其標準和定制版本的零件來生產(chǎn)專用放大器和板級產(chǎn)品。我們經(jīng)驗豐富的經(jīng)驗和業(yè)績記錄可以幫助您節(jié)省設(shè)計成本，時間和工程資源。示例包括低頻LNA，無線LNA增強放大器，集成構(gòu)建模塊，高頻振蕩器，評估板和測試夾具。
