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18N20

Goford Semiconductor

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產品概述

型號 18N20
廠家/品牌 Goford Semiconductor
產品描述 N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
數(shù)據(jù)庫 18N20.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 1967 pcs

參考價格(美元)
1
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產品特性

  • 型號18N20
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
  • 產品分類46
  • 產品狀態(tài)1967 pcs Stock
  • 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds836 pF @ 25 V
  • 系列18N20
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）18A (Tj)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）200 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs17.7 nC @ 10 V
  • 技術MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安裝類型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）65.8W (Tc)
  • 供應商設備封裝TO-252
  • 產品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@標識3V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓160mOhm @ 9A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

售后服務

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