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APTM100H80FT1G

Microsemi Corporation

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產(chǎn)品概述

型號 APTM100H80FT1G
廠家/品牌 Microsemi Corporation
產(chǎn)品描述 MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
數(shù)據(jù)庫 1.APTM100H80FT1G.pdf 2.APTM100H80FT1G.pdf 3.APTM100H80FT1G.pdf 4.APTM100H80FT1G.pdf 5.APTM100H80FT1G.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號APTM100H80FT1G
  • 制造商Microsemi Corporation
  • 描述MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds3876pF @ 25V
  • 組態(tài)4 N-Channel (Half Bridge)
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）11A
  • 漏極至源極電壓（Vdss）1000V (1kV)
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs150nC @ 10V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體SP1
  • 安裝類型Chassis Mount
  • 基本產(chǎn)品編號APTM100
  • 包裹Bulk
  • 功率 - 最大208W
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SP1
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • VGS（TH）（最大）@標識5V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓960mOhm @ 9A, 10V
  • FET特點-

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