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APTML202UM18R010T3AG

Microsemi Corporation

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產(chǎn)品概述

型號 APTML202UM18R010T3AG
廠家/品牌 Microsemi Corporation
產(chǎn)品描述 MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
數(shù)據(jù)庫 1.APTML202UM18R010T3AG.pdf 2.APTML202UM18R010T3AG.pdf 3.APTML202UM18R010T3AG.pdf 4.APTML202UM18R010T3AG.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號APTML202UM18R010T3AG
  • 制造商Microsemi Corporation
  • 描述MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds9880pF @ 25V
  • 組態(tài)2 N-Channel (Dual)
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）109A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）200V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs-
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體SP3
  • 安裝類型Chassis Mount
  • 基本產(chǎn)品編號APTML202
  • 包裹Bulk
  • 功率 - 最大480W
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SP3
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識4V @ 2.5mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓19mOhm @ 50A, 10V
  • FET特點(diǎn)-

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