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BSB012N03LX3 G

Infineon Technologies

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產品概述

型號 BSB012N03LX3 G
廠家/品牌 Infineon Technologies
產品描述 MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
數據庫 1.BSB012N03LX3 G.pdf 2.BSB012N03LX3 G.pdf 3.BSB012N03LX3 G.pdf 4.BSB012N03LX3 G.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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產品特性

  • 型號BSB012N03LX3 G
  • 制造商Infineon Technologies
  • 描述MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
  • 產品分類46
  • 產品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds16900 pF @ 15 V
  • 系列OptiMOS?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）39A (Ta), 180A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）30 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs169 nC @ 10 V
  • 技術MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體3-WDSON
  • 安裝類型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • 供應商設備封裝MG-WDSON-2, CanPAK M?
  • 產品狀態(tài)Obsolete
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標識2.2V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓1.2mOhm @ 30A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

售后服務

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