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BSM600C12P3G201

Rohm Semiconductor

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產(chǎn)品概述

型號(hào) BSM600C12P3G201
廠家/品牌 Rohm Semiconductor
產(chǎn)品描述 SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
數(shù)據(jù)庫(kù)
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$1440

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)BSM600C12P3G201
  • 制造商Rohm Semiconductor
  • 描述SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開(kāi)，最小Rds開(kāi)）-
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds28000 pF @ 10 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）600A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）1200 V
  • 技術(shù)SiCFET (Silicon Carbide)
  • 工作溫度175°C (TJ)
  • 封裝/箱體Module
  • 安裝類型Chassis Mount
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)BSM600
  • 包裹Tray
  • 功率耗散（最大）2460W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝Module
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）+22V, -4V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)5.6V @ 182mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓-
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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