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產(chǎn)品概述

型號(hào) DMJ70H1D4SJ3
廠家/品牌 Diodes Incorporated
產(chǎn)品描述 MOSFET BVDSS: 651V~800V TO251 TU
數(shù)據(jù)庫(kù)
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$1.173

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)DMJ70H1D4SJ3
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET BVDSS: 651V~800V TO251 TU
  • 產(chǎn)品分類(lèi)46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開(kāi)，最小Rds開(kāi)）10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds273 pF @ 100 V
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）6.1A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）700 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs9 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 安裝類(lèi)型Through Hole
  • 功率耗散（最大）78W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-251 (Type TH)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)5V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓1.4Ohm @ 1A, 10V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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