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DMN1033UCB4-7

Diodes Incorporated

  • DMN1033UCB4-7 Image
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產(chǎn)品概述

型號 DMN1033UCB4-7
廠家/品牌 Diodes Incorporated
產(chǎn)品描述 MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
數(shù)據(jù)庫 1.DMN1033UCB4-7.pdf 2.DMN1033UCB4-7.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號DMN1033UCB4-7
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds-
  • 組態(tài)2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）-
  • 漏極至源極電壓（Vdss）-
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs37nC @ 4.5V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體4-UFBGA, WLBGA
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號DMN1033
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大1.45W
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝U-WLB1818-4
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識-
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓-
  • FET特點Logic Level Gate

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