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DMN10H6D2LFDB-13

Diodes Incorporated

  • DMN10H6D2LFDB-13 Image
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產(chǎn)品概述

型號 DMN10H6D2LFDB-13
廠家/品牌 Diodes Incorporated
產(chǎn)品描述 MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
數(shù)據(jù)庫 1.DMN10H6D2LFDB-13.pdf 2.DMN10H6D2LFDB-13.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價格(美元)
1
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產(chǎn)品特性

  • 型號DMN10H6D2LFDB-13
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds41pF @ 50V
  • 組態(tài)2 N-Channel (Dual)
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）270mA (Ta)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）100V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs1.2nC @ 10V
  • 技術MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體6-UDFN Exposed Pad
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號DMN10
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大700mW (Ta)
  • 供應商設備封裝U-DFN2020-6 (Type B)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • VGS（TH）（最大）@標識2V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓6Ohm @ 190mA, 10V
  • FET特點-

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