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DMWS120H100SM4

Diodes Incorporated

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產(chǎn)品概述

型號 DMWS120H100SM4
廠家/品牌 Diodes Incorporated
產(chǎn)品描述 SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
數(shù)據(jù)庫 DMWS120H100SM4.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 14 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$13.952

在線詢價(jià)

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產(chǎn)品特性

  • 型號DMWS120H100SM4
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)14 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）15V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1516 pF @ 1000 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）37.2A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）1200 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs52 nC @ 15 V
  • 技術(shù)SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-247-4
  • 安裝類型Through Hole
  • 基本產(chǎn)品編號DMWS120
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）208W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247-4
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）+19V, -8V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識3.5V @ 5mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓100mOhm @ 20A, 15V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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