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產(chǎn)品概述

型號(hào) EFC6601R-TR
廠家/品牌 onsemi
產(chǎn)品描述 MOSFET 2N-CH EFCP
數(shù)據(jù)庫(kù) 1.EFC6601R-TR.pdf 2.EFC6601R-TR.pdf
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 5000 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$0.364

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)EFC6601R-TR
  • 制造商onsemi
  • 描述MOSFET 2N-CH EFCP
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)5000 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds-
  • 組態(tài)2 N-Channel (Dual)
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）-
  • 漏極至源極電壓（Vdss）-
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs48nC @ 4.5V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度150°C (TJ)
  • 封裝/箱體6-XFBGA, FCBGA
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)EFC6601
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大2W
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝EFCP2718-6CE-020
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)-
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓-
  • FET特點(diǎn)Logic Level Gate, 2.5V Drive

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