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FQD13N10LTM

Fairchild Semiconductor

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產(chǎn)品概述

型號 FQD13N10LTM
廠家/品牌 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品描述 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
數(shù)據(jù)庫
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

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產(chǎn)品特性

  • 型號FQD13N10LTM
  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 描述POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds520 pF @ 25 V
  • 系列QFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）10A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）100 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs12 nC @ 5 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安裝類型Surface Mount
  • 包裹Bulk
  • 功率耗散（最大）2.5W (Ta), 40W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-252, (D-Pak)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識2V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓180mOhm @ 5A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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