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產(chǎn)品概述

型號(hào) G1K8P06S2
廠家/品牌 Goford Semiconductor
產(chǎn)品描述 P-60V,-3.2A,RD(MAX)<170M@-10V,VT
數(shù)據(jù)庫(kù) G1K8P06S2.pdf
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 3968 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)G1K8P06S2
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述P-60V,-3.2A,RD(MAX)<170M@-10V,VT
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)3968 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds594pF @ 30V
  • 組態(tài)2 P-Channel
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）3.2A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）60V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs11.3nC @ 10V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 安裝類型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大2W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOP
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)2.5V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓170mOhm @ 1A, 10V
  • FET特點(diǎn)Standard

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