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產(chǎn)品概述

型號 G1NP02LLE
廠家/品牌 Goford Semiconductor
產(chǎn)品描述 NP20V, 1.3A/-1.1A,RD<210M@4.5V,R
數(shù)據(jù)庫 G1NP02LLE.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 3000 pcs

參考價格(美元)
1
$0.035

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產(chǎn)品特性

  • 型號G1NP02LLE
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述NP20V, 1.3A/-1.1A,RD<210M@4.5V,R
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)3000 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds146pF @ 10V, 177pF @ 10V
  • 組態(tài)-
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）20V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體SOT-23-6
  • 安裝類型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大1.25W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-6L
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識1V @ 250μA, 800mV @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
  • FET特點Standard

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