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產(chǎn)品概述

型號 G60N10T
廠家/品牌 Goford Semiconductor
產(chǎn)品描述 N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
數(shù)據(jù)庫 G60N10T.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 186 pcs

參考價格(美元)
1
$0.339

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產(chǎn)品特性

  • 型號G60N10T
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)186 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds3970 pF @ 50 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）60A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）100 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs146 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-220-3
  • 安裝類型Through Hole
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）160W (Tc)
  • 供應商設備封裝TO-220
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標識2.5V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓25mOhm @ 20A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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