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產(chǎn)品概述

型號(hào) G7K2N20HE
廠家/品牌 Goford Semiconductor
產(chǎn)品描述 N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
數(shù)據(jù)庫(kù) G7K2N20HE.pdf
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 1265 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$0.083

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)G7K2N20HE
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)1265 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds568 pF @ 100 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）2A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）200 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs10.8 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-261-4, TO-261AA
  • 安裝類型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）1.8W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-223
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)2.5V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓700mOhm @ 1A, 10V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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