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GAN190-650EBEZ

Nexperia USA Inc.

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產(chǎn)品概述

型號 GAN190-650EBEZ
廠家/品牌 Nexperia USA Inc.
產(chǎn)品描述 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
數(shù)據(jù)庫 GAN190-650EBEZ.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 2444 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$2.638

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  • $ 0.0

產(chǎn)品特性

  • 型號GAN190-650EBEZ
  • 制造商Nexperia USA Inc.
  • 描述650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)2444 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）6V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds96 pF @ 400 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）11.5A (Ta)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）650 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs2.8 nC @ 6 V
  • 技術(shù)GaNFET (Gallium Nitride)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體8-VDFN Exposed Pad
  • 安裝類型Surface Mount, Wettable Flank
  • 基本產(chǎn)品編號GAN190
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）125W (Ta)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝DFN8080-8
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）+7V, -1.4V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識2.5V @ 12.2mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓190mOhm @ 3.9A, 6V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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