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產(chǎn)品概述

型號(hào) GCMS080B120S1-E1
廠家/品牌 SemiQ
產(chǎn)品描述 SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
數(shù)據(jù)庫(kù) GCMS080B120S1-E1.pdf
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 70 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$19.035

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)GCMS080B120S1-E1
  • 制造商SemiQ
  • 描述SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)70 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）20V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1374 pF @ 1000 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）30A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）1200 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs58 nC @ 20 V
  • 技術(shù)SiCFET (Silicon Carbide)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封裝/箱體SOT-227-4, miniBLOC
  • 安裝類型Chassis Mount
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)GCMS080
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）142W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-227
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）+25V, -10V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)4V @ 10mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓100mOhm @ 20A, 20V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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