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HN3C51F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

  • HN3C51F-GR(TE85L,F Image
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產(chǎn)品概述

型號(hào) HN3C51F-GR(TE85L,F
廠家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
產(chǎn)品描述 TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
數(shù)據(jù)庫(kù) 1.HN3C51F-GR(TE85L,F.pdf 2.HN3C51F-GR(TE85L,F.pdf
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)HN3C51F-GR(TE85L,F
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
  • 產(chǎn)品分類39
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換100MHz
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->Bipolar (BJT)-->Bipolar Transistor Arrays
  • 直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce200 @ 2mA, 6V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大）100mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）100nA (ICBO)
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）120V
  • 晶體管類型2 NPN (Dual)
  • 工作溫度150°C (TJ)
  • 封裝/箱體SC-74, SOT-457
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)HN3C51
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大300mW
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SM6
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • Vce飽和（最大）@ IB，IC300mV @ 1mA, 10mA

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