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IPD30N06S2L13ATMA4

Infineon Technologies

  • IPD30N06S2L13ATMA4 Image
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產品概述

型號 IPD30N06S2L13ATMA4
廠家/品牌 Infineon Technologies
產品描述 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
數據庫 1.IPD30N06S2L13ATMA4.pdf 2.IPD30N06S2L13ATMA4.pdf 3.IPD30N06S2L13ATMA4.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 8190 pcs

參考價格(美元)
1
$0.829

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產品特性

  • 型號IPD30N06S2L13ATMA4
  • 制造商Infineon Technologies
  • 描述MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
  • 產品分類46
  • 產品狀態(tài)8190 pcs Stock
  • 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1800 pF @ 25 V
  • 系列OptiMOS?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）30A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）55 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs69 nC @ 10 V
  • 技術MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產品編號IPD30N06
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）136W (Tc)
  • 供應商設備封裝PG-TO252-3-11
  • 產品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標識2V @ 80μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓13mOhm @ 30A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

售后服務

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