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IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

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產(chǎn)品概述

型號 IRLHS6376TRPBF
廠家/品牌 Infineon Technologies
產(chǎn)品描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
數(shù)據(jù)庫 1.IRLHS6376TRPBF.pdf 2.IRLHS6376TRPBF.pdf 3.IRLHS6376TRPBF.pdf 4.IRLHS6376TRPBF.pdf 5.IRLHS6376TRPBF.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 159650 pcs

參考價格(美元)
1
$0.259

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產(chǎn)品特性

  • 型號IRLHS6376TRPBF
  • 制造商Infineon Technologies
  • 描述MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)159650 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds270pF @ 25V
  • 組態(tài)2 N-Channel (Dual)
  • 系列HEXFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）3.6A
  • 漏極至源極電壓（Vdss）30V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs2.8nC @ 4.5V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體6-VDFN Exposed Pad
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號IRLHS6376
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大1.5W
  • 供應商設(shè)備封裝6-PQFN (2x2)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • VGS（TH）（最大）@標識1.1V @ 10μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓63mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • FET特點Logic Level Gate

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