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  • IXTA1R4N120P Image
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產品概述

型號 IXTA1R4N120P
廠家/品牌 IXYS
產品描述 MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
數據庫 IXTA1R4N120P.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現貨： 140 pcs

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產品特性

  • 型號IXTA1R4N120P
  • 制造商IXYS
  • 描述MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
  • 產品分類46
  • 產品狀態(tài)140 pcs Stock
  • 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds666 pF @ 25 V
  • 系列Polar
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）1.4A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）1200 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs24.8 nC @ 10 V
  • 技術MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產品編號IXTA1
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）86W (Tc)
  • 供應商設備封裝TO-263AA
  • 產品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標識4.5V @ 100μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓13Ohm @ 500mA, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

售后服務

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