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  • NSVEMD4DXV6T5G Image
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產品概述

型號 NSVEMD4DXV6T5G
廠家/品牌 onsemi
產品描述 TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
數據庫 1.NSVEMD4DXV6T5G.pdf 2.NSVEMD4DXV6T5G.pdf 3.NSVEMD4DXV6T5G.pdf 4.NSVEMD4DXV6T5G.pdf 5.NSVEMD4DXV6T5G.pdf 6.NSVEMD4DXV6T5G.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現貨： 7980 pcs

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產品特性

  • 型號NSVEMD4DXV6T5G
  • 制造商onsemi
  • 描述TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
  • 產品分類40
  • 產品狀態(tài)7980 pcs Stock
  • 頻率 - 轉換-
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->Bipolar (BJT)-->Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
  • 直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce80 @ 5mA, 10V
  • 電阻器 - 基座（R1）47kOhms, 10kOhms
  • 電阻器 - 發(fā)射器底座（R2）47kOhms
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大）100mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）500nA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50V
  • 晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 封裝/箱體SOT-563, SOT-666
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產品編號NSVEMD4
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大500mW
  • 供應商設備封裝SOT-563
  • 產品狀態(tài)Obsolete
  • Vce飽和（最大）@ IB，IC250mV @ 300μA, 10mA

售后服務

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