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產(chǎn)品概述

型號(hào) NTB5860NT4G
廠家/品牌 AMI Semiconductor/onsemi
產(chǎn)品描述 POWER MOSFET 60V 169A, SINGLE N-
數(shù)據(jù)庫(kù)
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)NTB5860NT4G
  • 制造商AMI Semiconductor/onsemi
  • 描述POWER MOSFET 60V 169A, SINGLE N-
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開(kāi)，最小Rds開(kāi)）10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds10760 pF @ 25 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）220A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）60 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs180 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 安裝類型Surface Mount
  • 包裹Bulk
  • 功率耗散（最大）283W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)4V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓3mOhm @ 75A, 10V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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