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  • PMWD26UN,518 Image
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產(chǎn)品概述

型號 PMWD26UN,518
廠家/品牌 NXP USA Inc.
產(chǎn)品描述 MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
數(shù)據(jù)庫 1.PMWD26UN,518.pdf 2.PMWD26UN,518.pdf 3.PMWD26UN,518.pdf 4.PMWD26UN,518.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號PMWD26UN,518
  • 制造商NXP USA Inc.
  • 描述MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1366pF @ 16V
  • 組態(tài)2 N-Channel (Dual)
  • 系列TrenchMOS?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）7.8A
  • 漏極至源極電壓（Vdss）20V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs23.6nC @ 4.5V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號PMWD26
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大3.1W
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-TSSOP
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識700mV @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓30mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • FET特點(diǎn)Logic Level Gate

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