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RGT8NS65DGC9

Rohm Semiconductor

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產(chǎn)品概述

型號(hào) RGT8NS65DGC9
廠家/品牌 Rohm Semiconductor
產(chǎn)品描述 IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262
數(shù)據(jù)庫(kù)
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 965 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$1.059

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)RGT8NS65DGC9
  • 制造商Rohm Semiconductor
  • 描述IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262
  • 產(chǎn)品分類49
  • 產(chǎn)品狀態(tài)965 pcs Stock
  • 輸入類型Standard
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->IGBTs-->Single IGBTs
  • 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC2.1V @ 15V, 4A
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大）8 A
  • 電流 - 集電極脈沖（ICM）12 A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）650 V
  • 測(cè)試條件400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • 柵極電荷13.5 nC
  • 開關(guān)能量-
  • 工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
  • 安裝類型Through Hole
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)RGT8NS65
  • 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）40 ns
  • 包裹Tube
  • 功率 - 最大65 W
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-262
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Td（開/關(guān)）@ 25°C17ns/69ns
  • IGBT類型Trench Field Stop

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