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RW1E025RPT2CR

Rohm Semiconductor

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產(chǎn)品概述

型號 RW1E025RPT2CR
廠家/品牌 Rohm Semiconductor
產(chǎn)品描述 MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
數(shù)據(jù)庫 RW1E025RPT2CR.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號RW1E025RPT2CR
  • 制造商Rohm Semiconductor
  • 描述MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds480 pF @ 10 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）2.5A (Ta)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）30 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs5.2 nC @ 5 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度150°C (TJ)
  • 封裝/箱體6-SMD, Flat Leads
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號RW1E025
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）700mW (Ta)
  • 供應商設備封裝6-WEMT
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標識2.5V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓75mOhm @ 2.5A, 10V
  • FET特點-
  • FET型P-Channel

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