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SI1305EDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

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產(chǎn)品概述

型號(hào) SI1305EDL-T1-GE3
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3
數(shù)據(jù)庫 1.SI1305EDL-T1-GE3.pdf 2.SI1305EDL-T1-GE3.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)SI1305EDL-T1-GE3
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）1.8V, 4.5V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）860mA (Ta)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）8 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs4 nC @ 4.5 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體SC-70, SOT-323
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)SI1305
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）290mW (Ta)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-70-3
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • Vgs（最大）±8V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)450mV @ 250μA (Min)
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓280mOhm @ 1A, 4.5V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型P-Channel

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