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SI5855CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

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產(chǎn)品概述

型號 SI5855CDC-T1-E3
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
數(shù)據(jù)庫 1.SI5855CDC-T1-E3.pdf 2.SI5855CDC-T1-E3.pdf 3.SI5855CDC-T1-E3.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

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產(chǎn)品特性

  • 型號SI5855CDC-T1-E3
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）1.8V, 4.5V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds276 pF @ 10 V
  • 系列LITTLE FOOT?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）3.7A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）20 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs6.8 nC @ 5 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體8-SMD, Flat Lead
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號SI5855
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝1206-8 ChipFET?
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • Vgs（最大）±8V
  • VGS（TH）（最大）@標識1V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓144mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • FET特點Schottky Diode (Isolated)
  • FET型P-Channel

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