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SI8429DB-T1-E1

Vishay Siliconix

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產(chǎn)品概述

型號 SI8429DB-T1-E1
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
數(shù)據(jù)庫 1.SI8429DB-T1-E1.pdf 2.SI8429DB-T1-E1.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 20894 pcs

參考價格(美元)
1
$0.473

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產(chǎn)品特性

  • 型號SI8429DB-T1-E1
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)20894 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）1.2V, 4.5V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1640 pF @ 4 V
  • 系列TrenchFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）11.7A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）8 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs26 nC @ 5 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體4-XFBGA, CSPBGA
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號SI8429
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝4-Microfoot
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±5V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識800mV @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓35mOhm @ 1A, 4.5V
  • FET特點-
  • FET型P-Channel

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