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SI8806DB-T2-E1

Vishay Siliconix

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產(chǎn)品概述

型號(hào) SI8806DB-T2-E1
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
數(shù)據(jù)庫 1.SI8806DB-T2-E1.pdf 2.SI8806DB-T2-E1.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 3000 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$0.179

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)SI8806DB-T2-E1
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)3000 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）1.8V, 4.5V
  • 系列TrenchFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）2.8A (Ta)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）12 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs17 nC @ 8 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體4-XFBGA
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)SI8806
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）500mW (Ta)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝4-Microfoot
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±8V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)1V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓43mOhm @ 1A, 4.5V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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