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SI8821EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

  • SI8821EDB-T2-E1 Image
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產品概述

型號 SI8821EDB-T2-E1
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產品描述 MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
數據庫 1.SI8821EDB-T2-E1.pdf 2.SI8821EDB-T2-E1.pdf 3.SI8821EDB-T2-E1.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現貨： 5328 pcs

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產品特性

  • 型號SI8821EDB-T2-E1
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
  • 產品分類46
  • 產品狀態(tài)5328 pcs Stock
  • 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）2.5V, 4.5V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds440 pF @ 15 V
  • 系列TrenchFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）1.6A (Ta)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）30 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs17 nC @ 10 V
  • 技術MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體4-XFBGA, CSPBGA
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產品編號SI8821
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）500mW (Ta)
  • 供應商設備封裝4-Microfoot
  • 產品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±12V
  • VGS（TH）（最大）@標識1.3V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓135mOhm @ 1A, 4.5V
  • FET特點-
  • FET型P-Channel

售后服務

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