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SIHB120N60E-GE3

Vishay Siliconix

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產(chǎn)品概述

型號 SIHB120N60E-GE3
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
數(shù)據(jù)庫 SIHB120N60E-GE3.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 923 pcs

參考價格(美元)
1
$2.655

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產(chǎn)品特性

  • 型號SIHB120N60E-GE3
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)923 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1562 pF @ 100 V
  • 系列E
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）25A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）600 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs45 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號SIHB120
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）179W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK (TO-263)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識5V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓120mOhm @ 12A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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