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SIHB21N60EF-GE3

Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix
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產(chǎn)品概述

型號 SIHB21N60EF-GE3
廠家/品牌 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
數(shù)據(jù)庫 1.SIHB21N60EF-GE3.pdf 2.SIHB21N60EF-GE3.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 346 pcs

參考價格(美元)
1
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產(chǎn)品特性

  • 型號SIHB21N60EF-GE3
  • 制造商Vishay / Siliconix
  • 描述MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)346 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds2030 pF @ 100 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）21A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）600 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs84 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號SIHB21
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）227W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK (TO-263)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@標識4V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓176mOhm @ 11A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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