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SIHP28N65E-GE3

Vishay Siliconix

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產(chǎn)品概述

型號(hào) SIHP28N65E-GE3
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
數(shù)據(jù)庫 1.SIHP28N65E-GE3.pdf 2.SIHP28N65E-GE3.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$2.819

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)SIHP28N65E-GE3
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds3405 pF @ 100 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）29A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）650 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs140 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-220-3
  • 安裝類型Through Hole
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)SIHP28
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）250W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)4V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓112mOhm @ 14A, 10V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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