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SIRA58ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix
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產品概述

型號 SIRA58ADP-T1-RE3
廠家/品牌 Vishay / Siliconix
產品描述 MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
數(shù)據庫 1.SIRA58ADP-T1-RE3.pdf 2.SIRA58ADP-T1-RE3.pdf 3.SIRA58ADP-T1-RE3.pdf 4.SIRA58ADP-T1-RE3.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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產品特性

  • 型號SIRA58ADP-T1-RE3
  • 制造商Vishay / Siliconix
  • 描述MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
  • 產品分類46
  • 產品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds3030 pF @ 20 V
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）32.3A (Ta), 109A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）40 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs61 nC @ 10 V
  • 技術MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體PowerPAK? SO-8
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產品編號SIRA58
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）5W (Ta), 56.8W (Tc)
  • 供應商設備封裝PowerPAK? SO-8
  • 產品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）+20V, -16V
  • VGS（TH）（最大）@標識2.4V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓2.65mOhm @ 15A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

售后服務

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