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SISH112DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

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產(chǎn)品概述

型號 SISH112DN-T1-GE3
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
數(shù)據(jù)庫 1.SISH112DN-T1-GE3.pdf 2.SISH112DN-T1-GE3.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價格(美元)
1
$0.677

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產(chǎn)品特性

  • 型號SISH112DN-T1-GE3
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds2610 pF @ 15 V
  • 系列TrenchFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）11.3A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）30 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs27 nC @ 4.5 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-50°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體PowerPAK? 1212-8SH
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號SISH112
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）1.5W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? 1212-8SH
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±12V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識1.5V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓7.5mOhm @ 17.8A, 10V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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