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SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

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產(chǎn)品概述

型號 SQJB60EP-T1_GE3
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
數(shù)據(jù)庫 SQJB60EP-T1_GE3.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價格(美元)
1
$0.595

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產(chǎn)品特性

  • 型號SQJB60EP-T1_GE3
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1600pF @ 25V
  • 組態(tài)2 N-Channel (Dual)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）30A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）60V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs30nC @ 10V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封裝/箱體PowerPAK? SO-8 Dual
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號SQJB60
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大48W
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? SO-8 Dual
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • VGS（TH）（最大）@標識2.5V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓12mOhm @ 10A, 10V
  • FET特點-

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