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TJ10S04M3L,LXHQ

Toshiba Semiconductor and Storage

  • TJ10S04M3L,LXHQ Image
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產(chǎn)品概述

型號 TJ10S04M3L,LXHQ
廠家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
產(chǎn)品描述 MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
數(shù)據(jù)庫
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價格(美元)
1
$0.407

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產(chǎn)品特性

  • 型號TJ10S04M3L,LXHQ
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）6V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds930 pF @ 10 V
  • 系列U-MOSVI
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）10A (Ta)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）40 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs19 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度175°C
  • 封裝/箱體TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號TJ10S04
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）27W (Tc)
  • 供應商設(shè)備封裝DPAK+
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）+10V, -20V
  • VGS（TH）（最大）@標識3V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓44mOhm @ 5A, 10V
  • FET特點-
  • FET型P-Channel

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