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TPCC8105,L1Q(CM

Toshiba Semiconductor and Storage

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產(chǎn)品概述

型號 TPCC8105,L1Q(CM
廠家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
產(chǎn)品描述 MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
數(shù)據(jù)庫
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

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產(chǎn)品特性

  • 型號TPCC8105,L1Q(CM
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds3240 pF @ 10 V
  • 系列U-MOSVI
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）23A (Ta)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）30 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs76 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度150°C
  • 封裝/箱體8-VDFN Exposed Pad
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號TPCC8105
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）700mW (Ta), 30W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）+20V, -25V
  • VGS（TH）（最大）@標識2V @ 500μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓7.8mOhm @ 11.5A, 10V
  • FET特點-
  • FET型P-Channel

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