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TW048N65C,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

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產(chǎn)品概述

型號(hào) TW048N65C,S1F
廠家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
產(chǎn)品描述 G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
數(shù)據(jù)庫(kù)
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 11 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$11.267

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)TW048N65C,S1F
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)11 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）18V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1362 pF @ 400 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）40A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）650 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs41 nC @ 18 V
  • 技術(shù)SiCFET (Silicon Carbide)
  • 工作溫度175°C
  • 封裝/箱體TO-247-3
  • 安裝類型Through Hole
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）132W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）+25V, -10V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)5V @ 1.6mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓65mOhm @ 20A, 18V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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