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產(chǎn)品概述

型號(hào) VQ1001P-E3
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
數(shù)據(jù)庫(kù) 1.VQ1001P-E3.pdf 2.VQ1001P-E3.pdf
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)VQ1001P-E3
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds110pF @ 15V
  • 組態(tài)4 N-Channel
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）830mA
  • 漏極至源極電壓（Vdss）30V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs-
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體-
  • 安裝類型Through Hole
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)VQ1001
  • 包裹Tube
  • 功率 - 最大2W
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝14-DIP
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)2.5V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓1.75Ohm @ 200mA, 5V
  • FET特點(diǎn)Logic Level Gate

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