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XPN6R706NC,L1XHQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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產(chǎn)品概述

型號 XPN6R706NC,L1XHQ
廠家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
數(shù)據(jù)庫 XPN6R706NC,L1XHQ.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 29435 pcs

參考價格(美元)
1
$0.603

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產(chǎn)品特性

  • 型號XPN6R706NC,L1XHQ
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)29435 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds2000 pF @ 10 V
  • 系列U-MOSVIII-H
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）40A (Ta)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）60 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs35 nC @ 10 V
  • 技術MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度175°C
  • 封裝/箱體8-PowerVDFN
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號XPN6R706
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）840mW (Ta), 100W (Tc)
  • 供應商設備封裝8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標識2.5V @ 300μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓6.7mOhm @ 20A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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