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SIR632DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

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產(chǎn)品概述

型號 SIR632DP-T1-RE3
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
數(shù)據(jù)庫 1.SIR632DP-T1-RE3.pdf 2.SIR632DP-T1-RE3.pdf 3.SIR632DP-T1-RE3.pdf 4.SIR632DP-T1-RE3.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 427 pcs

參考價格(美元)
1
$0.638

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產(chǎn)品特性

  • 型號SIR632DP-T1-RE3
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)427 pcs Stock
  • 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）7.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds740 pF @ 75 V
  • 系列ThunderFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）29A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）150 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs17 nC @ 7.5 V
  • 技術MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體PowerPAK? SO-8
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號SIR632
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）69.5W (Tc)
  • 供應商設備封裝PowerPAK? SO-8
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標識4V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓34.5mOhm @ 10A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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