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DMT10H010LPS-13

Diodes Incorporated

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產(chǎn)品概述

型號 DMT10H010LPS-13
廠家/品牌 Diodes Incorporated
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
數(shù)據(jù)庫 1.DMT10H010LPS-13.pdf 2.DMT10H010LPS-13.pdf 3.DMT10H010LPS-13.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 3759 pcs

參考價格(美元)
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產(chǎn)品特性

  • 型號DMT10H010LPS-13
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)3759 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds3000 pF @ 50 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）9.4A (Ta), 98A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）100 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs71 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體8-PowerTDFN
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號DMT10
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）1.2W (Ta), 139W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerDI5060-8
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標識3.5V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓9.5mOhm @ 13A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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