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產(chǎn)品概述

型號(hào) G630J
廠家/品牌 Goford Semiconductor
產(chǎn)品描述 N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.
數(shù)據(jù)庫 G630J.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 735 pcs

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)G630J
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)735 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds509 pF @ 25 V
  • 系列G
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）11A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）200 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs11.8 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 安裝類型Through Hole
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）83W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-251
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)3V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓280mOhm @ 4.5A, 10V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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