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RN1132MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

  • RN1132MFV,L3F Image
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產(chǎn)品概述

型號(hào) RN1132MFV,L3F
廠家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
產(chǎn)品描述 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
數(shù)據(jù)庫
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$0.032

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)RN1132MFV,L3F
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
  • 產(chǎn)品分類43
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->Bipolar (BJT)-->Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
  • 直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce120 @ 1mA, 5V
  • 電阻器 - 基座（R1）200 kOhms
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大）100 mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）100nA (ICBO)
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50 V
  • 晶體管類型NPN - Pre-Biased
  • 封裝/箱體SOT-723
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)RN1132
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大150 mW
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝VESM
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vce飽和（最大）@ IB，IC300mV @ 500μA, 5mA

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