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SIA910EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

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產(chǎn)品概述

型號 SIA910EDJ-T1-GE3
廠家/品牌 Vishay Siliconix
產(chǎn)品描述 MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
數(shù)據(jù)庫 1.SIA910EDJ-T1-GE3.pdf 2.SIA910EDJ-T1-GE3.pdf 3.SIA910EDJ-T1-GE3.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 16306 pcs

參考價格(美元)
1
$0.254

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產(chǎn)品特性

  • 型號SIA910EDJ-T1-GE3
  • 制造商Vishay Siliconix
  • 描述MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)16306 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds455pF @ 6V
  • 組態(tài)2 N-Channel (Dual)
  • 系列TrenchFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）4.5A
  • 漏極至源極電壓（Vdss）12V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs16nC @ 8V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體PowerPAK? SC-70-6 Dual
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號SIA910
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大7.8W
  • 供應商設備封裝PowerPAK? SC-70-6 Dual
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • VGS（TH）（最大）@標識1V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓28mOhm @ 5.2A, 4.5V
  • FET特點Logic Level Gate

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