|
型號(hào):SIRA88DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA60DP-T1-RE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRC04DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA72DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA66DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA80DP-T1-RE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRB40DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA64DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA88BDP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA64DP-T1-RE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA74DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA62DP-T1-RE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA60DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA90DP-T1-RE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA90ADP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 71A/334A PPAK
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA84BDP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 22A/70A PPAK SO8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA96DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA90DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRAD EASY R4 BREAKOUT-BOARD
|
制造商:
Silicon Radar GmbH
|
描述:SIRAD_EASY_R4_BREAKOUT-BOARD (BO
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SIRA99DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|