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TW107N65C,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

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產(chǎn)品概述

型號 TW107N65C,S1F
廠家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
產(chǎn)品描述 G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
數(shù)據(jù)庫
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價格(美元)
1
$5.509

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產(chǎn)品特性

  • 型號TW107N65C,S1F
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）18V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds600 pF @ 400 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）20A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）650 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs21 nC @ 18 V
  • 技術(shù)SiCFET (Silicon Carbide)
  • 工作溫度175°C
  • 封裝/箱體TO-247-3
  • 安裝類型Through Hole
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）76W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）+25V, -10V
  • VGS（TH）（最大）@標識5V @ 1.2mA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓145mOhm @ 10A, 18V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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